كشفت شركة SK hynix النقاب عن “أسرع ذاكرة DRAM محمولة في العالم”، والتي تسميها LPDDR5T، حيث يرمز الحرف “T” إلى “Turbo” حيث أن شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة أسرع بنسبة 13٪ من ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5X التي بدأت مؤخرًا في الظهور على الأجهزة الرائدة.
يعمل LPDDR5T بسرعة 9.6 جيجابت في الثانية مقارنة بـ 8.5 جيجابت في الثانية لـ 5X و 6.4 جيجابت في الثانية لـ LPDDR5 الأصلي، بهذه السرعة، يمكن لذاكرة الوصول العشوائي الجديدة أن تمر عبر 77 جيجابايت من البيانات في ثانية واحدة.
لاحظ أن 5T ليست جيلًا جديدًا من الذاكرة الحيوية بل هي تحسين لـ 5X، حيث تعتمد الرقائق على عملية 1Anm، من الجيل الرابع من تكنولوجيا 10 نانومتر وتستخدم عملية HKMG (بوابة معدنية عالية K) التي تقلل من استخدام الطاقة وتزيد السرعة، حيث تم تقديم HKMG لرقائق DRAM بواسطة SK أولاً بشرائح 5X من العام الماضي.
أرسلت الشركة بالفعل عينات إلى شركائها، وتخطط SK hynix لبدء الإنتاج الضخم لـ 5T RAM في النصف الثاني من هذا العام.
سيتم عرض ذاكرة الوصول العشوائي الأسرع في الهواتف الذكية بالطبع، لكن الشركة تطمح كذلك على استغلالها في الـ AI و AR / VR أيضًا.
