أعلنت العلامة التجارية العالمية للتكنولوجيا Samsung عن بدء إنتاج معالجات بدقة تصنيع 3 نانومتر. حيث تستخدم العملية بنية الترانزستور Gate-All-Around (GAA) وتنتج شرائح موفرة للطاقة ومعززة للأداء، كما تعمل Samsung أيضًا على تطوير معمارية 3 نانومتر من الجيل الثاني والتي من شأنها أن تقدم تحسينات كبيرة في العديد من المجالات
تقول Samsung إن معمارية 3 نانو تستخدم طاقة أقل بنسبة 45٪، وتحسن الأداء بنسبة 23٪ وتستخدم مساحة سطح أقل بنسبة 16٪ من معمارية 5 نانو، تشتمل معمارية التصنيع هذه على بنية ترانزستور GAA مع قنوات أكبر في البوابات لتدفق الكهرباء من خلالها عند مستوى جهد أقل، هذا يرجع إلى استخدام جميع الجوانب الأربعة للقنوات، على عكس بنية FinFET.
تعني قابلية تكيف معمارية 3 نانو أنه يمكن تعديل عرض القناة لتلبية متطلبات العميل المحددة، هذا التطور البارز لمعالجات الـ 3 نانومتر يمنح سامسونج دفعة قوية في السوق، حيث تُعتبر سامسونج هي ثاني أكبر مُصنّع في العالم للمعالجات، ولديها أكبر قاعدة تعاقدية على مستوى العالم، وليست سامسونج فقط، فـTSMC تستعد لبدء الإنتاج الضخم باستخدام معمارية 3 نانومتر الخاصة بها.
لعب شركاء Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) دورًا رئيسيًا في مساعدة Samsung على تحقيق إنجاز معالجات 3 نانومتر، وتشمل Ansys وCadence وSiemens وSynopsys، حيث ستعمل Samsung في المستقبل على توسيع نطاق تطبيق معمارية 3 نانومتر على المعالجات المحمولة، وتلتزم سامسونج الصمت بشأن هوية الشركة المصنعة للمعدات الأصلية التي يتم تصنيع معالجات 3 نانزمتر بها، ومن المتوقع أن تكون أولى الأجهزة المحمولة التي تستخدم معالجات 3 نانومتر في عام 2023.
