سامسونج تكشف رسميٌا عن أول ذاكرة DDR5 DRAM من فئة 12 نانومتر

أعلنت شركة Samsung عن إصدار محدث من ذاكرة DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابايت، حيث تم تصنيع الذاكرة على بتكنولوجيا من فئة 12 نانومتر مطورة من فئة 14 نانومتر EUV الموجود حاليًا في السوق.

كما تم الإعلان عن أن ذاكرة DDR5 DRAM الجديدة متوافقة مع منتجات AMD، وقد تم تحسينها والتحقق من صحتها على منصات Zen.

قال Jooyoung Lee نائب الرئيس التنفيذي لمنتج وتقنية DRAM في Samsung، إن المعيار الجديد سيكون عاملاً تمكينيًا رئيسيًا في دفع اعتماد DDR5 DRAM على مستوى السوق.

يتم تصنيعها باستخدام مادة جديدة تزيد من سعة الخلية وتقنية التصميم الخاصة التي تعمل على تحسين خصائص الدوائر الحرجة.

يعتمد DRAM الجديد على الطباعة الحجرية EUV (الأشعة فوق البنفسجية الشديدة)، مما يسمح بكثافة قالب أعلى وإنتاجية أفضل بنسبة 20٪، كما أنها تستهلك طاقة أقل بنسبة 23٪، مما يفتح الباب لعمليات صديقة للبيئة أفضل بين شركات تكنولوجيا المعلومات.

من المتوقع أن يبدأ شحن بطاقات الذاكرة الأولى المزودة بذاكرة DDR5 DRAM الجديدة في عام 2023.

ذات صلة

سامسونج تكشف عن الحاسب Galaxy Book2 Go بمعالج Snapdragon 7c+ Gen 3

آبل تكشف النقاب عن معالجيْ M2 Pro وM2 Max بمزيد من الأداء

سلسلة Galaxy S23 ستستخدم نسخة خاصة من معالج Snapdragon 8 Gen 2

الإعلان عن Intel Core i9-13900KS بأول تردد توربو بحد أقصى 6 جيجاهرتز في العالم

جي فورس آر تي إكس 4070 تي آي – GeForce RTX 4070 Ti: الكشف رسميًا عن كرت إنفيديا الجديد

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *